23.01.2023      536      0
 

GaN — необходимость для быстрой зарядки Xiaomi (Redmi)


Всем нам не нравится, когда смартфон разряжает батарею, пусть даже это любимый Xiaomi (Redmi).

Ещё лет 5 или 7 назад процесс заряжания занимал от полутора до двух часов, что было обременительно, и многие оставляли телефоны заряжаться на всю ночь. В некоторых случаях это приводило к деградации аккумулятора всего за один год использования, что требовало замены батареи.

Но хорошо, что инженеры прекрасно знают об этой проблеме и работают в направлении увеличения автономности смартфонов Xiaomi.

Если вы следите за новыми моделями Xiaomi, то обратили внимание на то, что даже относительно недорогие модели из линейки Redmi поддерживают мощность зарядного устройства до 67 Вт, а некоторые модели Mi и вовсе спокойно работают с зарядками мощностью 120 Вт. Но как такое стало возможно?

Компактные, но при этом весьма мощные зарядки стали возможны благодаря тому, что для главного транзистора, который управляет подаваемым на телефон током, стали использовать новый материал — нитрид галлия.

Чем так важен нитрид галлия в мощных зарядках для телефонов

GaN транзистор
При работе заряжающие устройства заметно нагреваются, происходит это из-за нагрева управляющих схем, транзистора и дросселя, которые управляют током.

Чем выше мощность, тем больше все элементы внутри зарядки нагреваются, и тем выше шанс того, что они выйдут из строя.

Обычно транзистор в зарядках производился с применением обычного кремния, это давало некоторые преимущества, в том числе дешевезну производства и высокий процент выход годных элементов без брака.

Но у кремния есть и недостаток – относительно низкая температура, при которой он способен оставаться работоспособным долгое время – не выше 100 градусов Цельсия.

Именно температура является ограничивающим фактором, но в добавок ещё и укремния ширина запрещающей зоны 1,1 эВ, в то время, как у нового нитрида галлия он достигает значения 3,4 эВ.

Поэтому использование транзистора из нитрида галия (GaN) позволило создавать компактные, но при этом гораздо более мощные устройства для подзарядки телефонов.

Просто для сравнения: зарядка для iPhone 4 была мощностью 5 Вт, а новый Xiaomi Mi 13 Pro с лёгкостью заряжается от устройства мощностью 120 Вт, и полностью пополняет энергией свою батарею ёмкостью 4780 мАч всего за 21 минуту.

вернуться к содержанию

Преимущества GaN для смартфонов Xiaomi

GaN зарядка порты
Зарядки с применением GaN отмечены соответствующим знаком на корпусе и упаковке, и это не просто так.

Такие зарядные устройства обладают большим КПД, мощностью и они компактнее своих аналогов старого поколения.

Также GaN зарядки без проблем могут иметь 2 или даже 3 гнезда для подключения заряжаемых устройств, в них можно подключить, например, 3 смартфона одновременно, или телефон, наушники и фотокамеру.

И её мощность равномерно распределится между подключенными гаджетами и все они будут заряжены быстро и без проблем.

А ещё, особенно если сравнивать зарядки разных поколений и схожей мощности, GaN заметно легче.

Основные преимущества GaN:

  • Компактность
  • Больше портов
  • Легковесность
  • Высокий уровень надёжности

вернуться к содержанию


Об авторе: MiMaster

Привет, меня зовут Тимур. Я с детства увлекался компьютерами и IT-Индустрией, мне это нравится, это моя страсть. Последние несколько лет глубоко увлёкся компанией Xiaomi: идеологией, техникой и уникальным подходом к взрывному росту бизнеса. Владею многими гаджетами Xiaomi и делюсь опытом их использования, но главное - решением проблем и казусов, возникающих при неожиданных обстоятельствах, на страницах сайта mi-check.ru

Ваш комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Для отправки комментария, поставьте отметку, что разрешаете сбор и обработку ваших персональных данных . Политика конфиденциальности